Planar AFAR kanë përparësi të rëndësishme në aspektin e peshës dhe madhësisë në krahasim me zgjidhjet e tjera. Masa dhe trashësia e rrjetës AFAR zvogëlohet disa herë. Kjo u lejon atyre të përdoren në kokat e vendosjes së radarëve të vegjël, në UAV -të e bordit dhe për një klasë të re të sistemeve të antenave - vargje antenash konformale, d.m.th. duke përsëritur formën e objektit. Rrjeta të tilla, për shembull, janë të nevojshme për të krijuar një luftëtar të gjeneratës tjetër, të gjashtë.
SHA "NIIPP" po zhvillon marrjen dhe transmetimin e moduleve AFAR me shumë kanale të integruara duke përdorur teknologjinë LTCC-qeramikë, të cilat përfshijnë të gjithë elementët e rrobave AFAR (elementë aktivë, emetues të antenave, sistemet e shpërndarjes dhe kontrollit të sinjalit në mikrovalë, një burim dytësor i energjisë që kontrollon kontrolluesin dixhital me qark ndërfaqeje, sistem ftohës të lëngët) dhe janë një pajisje funksionale e kompletuar. Modulet mund të kombinohen në vargje antenash të çdo madhësie, dhe me integrim të rëndësishëm të brendshëm, kërkesat minimale i imponohen strukturës mbështetëse, e cila duhet të bashkojë module të tilla. Kjo e bën shumë më të lehtë për përdoruesit përfundimtarë të krijojnë një AFAR bazuar në module të tilla.
Falë zgjidhjeve origjinale të projektimit dhe përdorimit të materialeve të reja dhe premtuese, të tilla si qeramika me temperaturë të ulët (LTCC), materialet e përbëra, strukturat ftohëse të lëngshme të mikrokanaleve me shumë shtresa të zhvilluara nga SHA NIIPP, APM-të planare shumë të integruara dallohen nga:
SHA "NIIPP" është e gatshme të zhvillojë dhe organizojë prodhimin serik të moduleve marrëse, transmetuese dhe transmetuese planare të brezave S, C, X, Ku, Ka, në përputhje me kërkesat e klientit të interesuar.
SHA NIIPP ka pozicionet më të përparuara në Rusi dhe në botë në zhvillimin e moduleve të rrafshëta APAR duke përdorur teknologjinë LTCC-qeramikë.
Citim:
Rezultatet e kompleksit të kërkimit dhe zhvillimit në fushën e krijimit të qarqeve të integruara monolitike mikrovalore GaAs dhe SiGe, bibliotekat e elementeve dhe moduleve CAD, të kryera në Universitetin Tomsk të sistemeve të kontrollit dhe radio elektronikës.
Në vitin 2015, REC NT filloi punën në hartimin e një mikrovalë MIC për një marrës universal universal me shumë kanale (breza L-, S- dhe C) në formën e një "sistemi në një çip" (SoC). Deri më sot, bazuar në teknologjinë 0.25 μm SiGe BiCMOS, janë krijuar MIS-të e pajisjeve të mëposhtme mikrovalë me brez të gjerë (diapazoni i frekuencës 1-4.5 GHz): LNA, mikser, zbutës dixhital i kontrolluar (DCATT), si dhe qark kontrolli DCATT.
Prodhimi: Në të ardhmen e afërt, "problemi" i radarit për Yak-130, UAV, kërkuesi për KR dhe OTR do të zgjidhet në një nivel shumë serioz. Me një shkallë të lartë probabiliteti, është e mundur të supozohet se "një produkt që nuk ka analoge në botë". AFAR "në kategorinë e peshës" 60-80 kg (rreth asaj që kërkohet për masën e radarit Yak-130 220kg-270kg do të hesht)? Po Lehtë. A ka ndonjë dëshirë për të marrë plot 30 kg AFAR?
Ndërkohë … Ndërsa "ky është rasti":
Ende nuk ka avion serik. Federata Ruse as që mendoi ta shiste atë në Kinë dhe Indonezi (këtu do të ishte më mirë të merresh me SU-35), megjithatë … Sidoqoftë, përfaqësuesi i Lockheed Martin dhe "një numër" ekspertësh "nga Rusia tashmë po parashikojnë: do të jetë e shtrenjtë, do të ketë probleme me shitjen në Kinë dhe Indonezi. Nga historia e "prapambetjes" së avionikës ruse / sovjetike për "një numër" ekspertësh "nga Rusia, për referencë:
GaN dhe zgjidhjet e tij solide janë ndër materialet më të njohura dhe premtuese në elektronikën moderne. Puna në këtë drejtim kryhet në të gjithë botën, konferenca dhe seminare organizohen rregullisht, gjë që kontribuon në zhvillimin e shpejtë të teknologjisë për krijimin e pajisjeve elektronike dhe optoelektronike të bazuara në GaN. Një përparim vërehet si në parametrat e strukturave LED të bazuara në GaN dhe zgjidhjet e tij të ngurta, ashtu edhe në karakteristikat e PPM të bazuara në nitrid galliumi - një rend i madhësisë më i lartë se ai i pajisjeve të arsenidit të galiumit.
Gjatë vitit 2010, transistorët me efekt fushor me Ft = 77.3 GHz dhe Fmax = 177 GHz me një përfitim në aspektin e fuqisë mbi 11.5 dB në 35 GHz. Në bazë të këtyre transistorëve, për herë të parë në Rusi, u zhvillua dhe u zbatua me sukses një MIS për një përforcues të fuqisë me tre faza në rangun e frekuencës 27–37 GHz me Kp> 20 dB dhe një fuqi maksimale dalëse prej 300 mW në një mënyrë pulsimi. Në përputhje me Programin Federal të Synimit "Zhvillimi i Bazës së Komponentit Elektronik dhe Radio Elektronikës", pritet zhvillim i mëtejshëm i kërkimit shkencor dhe të aplikuar në këtë drejtim. Në veçanti, zhvillimi i heterostrukturave InAlN / AlN / GaN për krijimin e pajisjeve me frekuenca funksionimi prej 30-100 GHz, me pjesëmarrjen e ndërmarrjeve dhe instituteve kryesore vendase (FSUE NPP Pulsar, FSUE NPP Istok, ZAO Elma-Malakhit, JSC "Svetlana-Rost", ISHPE RAS, etj.).
Parametrat e heterostrukturave dhe transistorëve vendas me gjatësinë optimale të portës bazuar në to (llogaritja):
Experimentshtë gjetur në mënyrë eksperimentale se për gamën e frekuencës Ka, strukturat heterostruktura të tipit 2 me tb = 15 nm janë optimale, nga të cilat sot V-1400 ("Elma-Malachite") në një substrat SiC ka parametrat më të mirë, gjë që siguron krijimin të transistorëve me një rrymë fillestare deri në 1.1 A / mm në një pjerrësi maksimale deri në 380 mA / mm dhe një tension të ndërprerjes prej -4 V. Në këtë rast, transistorët me efekt fushor me LG = 180 nm (LG / tB = 12) kanë fT / fMAX = 62/130 GHz në mungesë të efekteve të kanaleve të shkurtra, që është optimale për brezin PA PA. Në të njëjtën kohë, transistorët me LG = 100 nm (LG / tB = 8) në të njëjtën heterostrukturë kanë frekuenca më të larta fT / fMAX = 77/161 GHz, domethënë, ato mund të përdoren në frekuenca më të larta V- dhe E- brezat, por për shkak të efekteve të kanaleve të shkurtra nuk janë optimale për këto frekuenca.
Le të shohim së bashku "alienin" më të përparuar dhe radarët tanë:
Retro: radari faraon-M, i cili tani është një gjë e së kaluarës (ishte planifikuar ta instalonte atë në Su-34, 1.44, Berkut). Diametri i rrezes 500 mm. Dritat e Parë Jo të barabarta "Phazotron". Ndonjëherë ajo quhet edhe "Spear-F".
Shpjegimet:
Teknologjia planare - një grup operacionesh teknologjike të përdorura në prodhimin e pajisjeve gjysmëpërçuese të sheshta (të sheshta, sipërfaqësore) dhe qarqeve të integruara.
Aplikacion:
-për antenat: Sistemet e antenave BlueTooth planare në telefonat celularë.
- për konvertuesit IP dhe PT: Transformatorët planarë Marathon, Zettler Magnetics ose Payton.
- për transistorët SMD
etj shihni më në detaje patentën e Federatës Ruse RU2303843.
Qeramika LTCC:
Qeramika e Temperaturës së Ulët (LTCC) është një teknologji qeramike me temperaturë të ulët e përdorur për të krijuar pajisje që lëshojnë mikrovalë, përfshirë modulet Bluetooth dhe WiFi në shumë telefona inteligjentë. Ai është i njohur gjerësisht për përdorimin e tij në prodhimin e radarëve AFAR të gjeneratës së pestë të luftëtarëve T-50 dhe tankeve të gjeneratës së katërt T-14.
Thelbi i teknologjisë qëndron në faktin se pajisja është prodhuar si një tabelë e shtypur, por e vendosur në një shkrirje qelqi. "Temperaturë e ulët" do të thotë që pjekja kryhet në temperatura rreth 1000C në vend të 2500C për teknologjinë HTCC, kur është e mundur të përdoren përbërës jo shumë të shtrenjtë të temperaturës së lartë nga molibden dhe tungsten në HTCC, por edhe bakër më të lirë në ar dhe argjend lidhjet.
